RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3040
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link