Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 42
    Rund um -20% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.8 left arrow 9.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.9 left arrow 6.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 35
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.7 left arrow 9.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.0 left arrow 7.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1396 left arrow 2126
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RAM 1
RAM 2

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