RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
42
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2245
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link