RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
42
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2468
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link