RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
72
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
1817
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link