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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
52
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2390
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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