RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
42
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2466
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KHX16 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link