RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
47
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2875
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link