RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
38
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
14.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2451
3439
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB RAM-Vergleiche
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link