RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2912
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link