RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
3149
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link