RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
42
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2525
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link