RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
39
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.6
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
22.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
16.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2322
3837
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM-Vergleiche
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link