RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
39
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2322
2462
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM-Vergleiche
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link