RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
58
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2322
2172
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM-Vergleiche
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link