RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gesamtnote
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
39
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2322
2620
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM-Vergleiche
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link