RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
39
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2322
2935
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM-Vergleiche
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link