Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Gesamtnote
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    39 left arrow 73
    Rund um 47% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 9.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.2 left arrow 14.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    39 left arrow 73
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 15.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 9.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2322 left arrow 1843
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RAM 2

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