RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
41
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2356
2659
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link