RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2356
2371
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link