RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
41
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2356
2336
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link