RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
39
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.0
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3448
2359
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link