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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
21.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
39
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
16.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
3286
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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