RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
20.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
39
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
21.0
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
21.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
4250
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link