RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
39
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
2346
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link