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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
3528
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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