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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
39
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
3483
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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