RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
63
Rund um -232% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
3542
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB RAM-Vergleiche
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link