PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB

Gesamtnote
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 63
    Rund um -186% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.4 left arrow 6.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.5 left arrow 5.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    63 left arrow 22
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.1 left arrow 18.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.0 left arrow 13.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1274 left arrow 3286
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche