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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
63
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
2504
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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