RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
73
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1744
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link