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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3538
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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