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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
34
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3226
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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