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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3183
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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