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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3334
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5469-029.A00LF 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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