RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3721
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link