RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3593
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link