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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2969
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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