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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2847
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
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