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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2628
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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