RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
41
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2058
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link