RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2439
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link