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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2569
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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