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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1967
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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