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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2760
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB RAM-Vergleiche
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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