RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2562
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link