RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
79
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1651
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link