RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
34
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3193
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link