RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3246
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link