RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3291
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link